Avometre diyot kademesine alınır.

Problardan biri 3 uçtan herhangi birine (genelde orta uç) sabit tutulur ve diğer prob iki uca da tek tek değdirilir. Diğer iki ucun da avometrede değer göstermesi gerekir. Eğer sadece biri değer gösterirse ikisi de değer gösterene kadar sabit tutulan uç değiştirilir.

Sabit tutulan ucu ilk denemenizde kırmızı yapın. Bu şekilde değer bulamıyorsanız bu sefer siyah ucu sabit tutup kırmızıyı değiştirirsiniz.

Avometrenin bir probunu transistörün bir bacağında sabit tutarken. Diğer probu transistor ün diğer bacaklarına ayrı ayrı değdirdiğimizde ekranda değer gösteriyorsa o anda sabit tuttuğunuz probtaki bacak beyz bacağıdır. Değişken probta tuttuğumuz bacaklardan hangisi büyük değer gösteriyorsa o emiter bacağıdır. Diğer bacak yani küçük değer gösteren bacak ise kollektör bacağıdır. Bu değerler arasında çok büyük farklar yoktur.

Ölçülen transistörün PNP mi ? NPN mi? Olduğunu şöyle tesbit edebiliriz:

PNP :

Emiter ve kollektörü buldugunuzda sabit tuttuğunuz bacaktaki (beyz) prob siyah renkli ise bu PNP tiptir.

NPN :

Emiter ve kollektörü buldugunuzda sabit tuttuğunuz bacaktaki (beyz) prob kırmızı renkli ise bu NPN tiptir.

Transistörlerin prensip olarak 2 diyodun katod veya anod uçlarından birbirine bağlanmış şekli olduğundan bahsetmiştik. Bu mantıkla yola çıkıldığında sağlam bir transistör içinde sağlam 2 diyod olması gerektiği sonucuna varılabilir. Aşağıdaki NPN transistör resminde 2 diyot görülmektedir. Beyz ucu her iki transistöründe anod ucudur. Ölçü aletimizi diyod ölçme kademesine alıp + ucumuzu beyze eksi ucumuzu kollektör veya emitöre deydirdiğimizde sağlam bir diyod değeri görmeliyiz. Aynı işlem PNP transistör için tam tersi olarak gerçekleştirilmelidir. Her 2 tip transistör içinde emitör kollektör ölçümünde ölçü aletinde değer okunmaması gerekir.

 

Devrenin girişine uygulanan sinyali yükseltir ve devrede akım gerilim kazancı sağlar. Gerektiğinde anahtarlama olarak da kullanılan bir yarı iletken devre elamanıdır.

Bipolar Junction Transistör (BJT), çift yüzeyli transisör olup, 2 tane N, 1 tane P (NPN) veya 2 tane P, 1 tane N (PNP) birleşiminden oluşur.

Transistörler 3 kutuplu devre elemanıdır ve devre sembolü üzerinde orta kutup olan Beyz (B) kutubu, okun olduğu kutup Emiter (E) ve diğer kalan kutup ise kollektör (C) kutubu olarak adlandırılır.

Beyz (B), Emiter (E) ve Kollektör (C) birbirleri ile alakalı olup, Beyz (B) akım şiddetine göre Kollektör (C) ve Emiter (E) akımı ayarlanır. Bu yapılan ayar akımı, kazanç faktörüne göre değişmektedir.

Transistörün Çalışması İçin Gerekli Şart;

– Beyz (B) ve Emiter (E) kutubu doğru yönde, Beyz (B) ve Kollektör (C) kutbu ters yönde polarlanmalıdır. Bu çalışma biçimine ise transistörün aktif bölgede çalışması adı verilir.

– Beyz (B) akımı olmadan, Emiter (E) ve Kollektör (C) kutbundan akım geçmez, bu olaya transistör kesimdedir denir.

– PN jonksiyonlarının karakteristiği, transistörün çalışması için oldukça önemelidir. Yani Silisyum tabakalı transistör’ün çalışması için 0.7 volt luk eşik gerilimi, Germanyum tabakalı transistör için ise, 0.3 voltluk eşik gerilimine ihtiyaç vardır.

Şimdi ise transistörün üstünlüklerine bakalım;

– Oldukça küçüktür ve daha az enerji harcar.

– Çok daha uzun çalışma ömrüne sahiptir.

– Her an çalışabilme özelliği vardır.

– Çalışma voltajları çok düşüktür, Pille bile çalışma özelliğine sahiptir.

– Lambalar gibi, patlama ve kırılma özelliğine sahip değillerdir.

– Üretimi ucuz ve kolaydır.

Transistör ilk olarak 1947 yılında, elektroniğin temek yapı taşı olarak William Shockley başkanlığında, John Bardeen ve Walter Brattain ile oluşan güçlü bir ekip tarafından yapılmıştır.

Bardeen ve Brattain ikilisi, radyo ve telefon sinyallerinin alınması, güçlendirme ve yansıtılmasında kullanılan termiyonik denen kapaklara karşı bir seçenek bulmak için uğraşmakatadırlar, ve çabuk kırılan ve oldukça pahalıya mal olan bu lambaların, ısınması içinde belli bir süre geçmesi gerekiyordu. Ayrıca bu sistem çok fazla elektrik tüketimine sahipti.

Ekip transistörü ilk olarak, germanyum denen yarı iletken tabakadan yapmış olup, bunu radyo devresine takmışlardır. Bu sayede daha az enerji ile, ses sistemi olduğundan daha fazla yülseltilmiştir.

Önceleri bu küçük elektronik devre elemanının, lambanın yerini alabileceğini kimse inanmıştı, fakat işlevselliğini görünce, benimsemeye başladılar. 1952 yılında ise, transistörün boyutu, orjinal boyutunun 1/10’a kadar küçültülüp, daha da güçlendirilmiştir.

Fakat daha sonraları, Ge’un yüksek sıcaklıklara dayanamadığı fark edildi. Ve Ge gibi yarı iletken madde olan, Si (silisyum) tabakası kullanmaya başladılar. Ve akımı, saniyenin 100 milyonda 1 i kadar (oldukça kısa bir zaman) iletebilen bir transistör yapıldı. Ve bu elektronik devre elemanı sayesinde, bir çok elektronik cihaz hayatımızı kolaylaştırdı.

SON YORUMLANANLAR

GELEN GİDEN SAYISI

411537
Bugün
Dün
Bu hafta
Geçen hafta
Bu Ay
Geçen Ay
Tümü
239
1236
7972
391235
24335
33733
411537

Your IP: 93.89.232.254
2017-12-15 10:19